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        7. 光耦驅(qū)動mos管電路-光耦對mos驅(qū)動電流計(jì)算3種方式
          • 發(fā)布時(shí)間:2019-09-20 16:38:26
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          光耦控制器mos管
          在光耦驅(qū)動的電路中,針對MOS管的驅(qū)動電流是需要特別進(jìn)行估算的.—般常用的估算方式,將對光耦mos管估算方式進(jìn)行介紹.并對每種估算方式進(jìn)行講解
          第一種:公式估算法
          可以使用如下公式估算:
          Ig=Qg/Ton
          其中:
          Ton=t3-t0≈td(on)+tr
          td(on):MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間,從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
          Tr:上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
          Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)
          第二種:(第一種的變形)
          密勒效應(yīng)時(shí)間(開關(guān)時(shí)間)Ton/off=Qgd/Ig;
          Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;
          Ig:MOS柵極驅(qū)動電流;Vb:穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動電壓;
          第三種:曲線估算法
          以一個(gè)實(shí)際MOS管為例,看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通(密勒效應(yīng))假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開通,估計(jì)總時(shí)間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,當(dāng)然,這是峰值,僅在管子開通和關(guān)短的各0.2us里有電流,其他時(shí)間幾乎沒有電流,平均值很小,但如果驅(qū)動芯片不能輸出這個(gè)峰值,管子的開通就會變慢。
          光耦驅(qū)動mos管電路
          光耦驅(qū)動mos管電路
          這3種目前較為常見的對于光耦應(yīng)用中MOS管進(jìn)行估算的方法。每種方法都有其自身的特點(diǎn),根據(jù)不同的情況,設(shè)計(jì)者可以根據(jù)公式或曲線模式來對MOS管的取值進(jìn)行估算。
          繼電器的專業(yè)術(shù)語:
          Form A=常開觸點(diǎn)
          Form B=常閉觸點(diǎn)
          Form C=轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)
          Form E=雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)
          AT=安培匝數(shù)用于描述磁場靈敏度的參數(shù)
          NC是常閉觸點(diǎn)(正常閉合)
          NO是常開觸點(diǎn)(常開)
          光耦繼電器(MOS輸出)特點(diǎn)
          無觸點(diǎn),因此沒有觸點(diǎn)的磨損,使用壽命是無限的;
          無震動和彈跳;防震,抗摔性;
          無動作聲音;
          小體積(有直插和貼片兩種封裝),高信賴性;
          AC/DC兼用;
          高速切換;
          低放電電壓;
          低動作電流(省電流);
          低開路時(shí)的漏電電流;
          輸入與輸出間完全絕緣;
          可控制各種負(fù)載(繼電器、電燈、發(fā)光二極管、加熱器、馬達(dá)、電磁吸筒等)。
          光耦繼電器是沒有壽命的,發(fā)光二極管導(dǎo)通截止,接收二極管導(dǎo)通截止,不會因?yàn)槔匣鴫牡簟R虼斯怦罾^電器適用于反復(fù)需要開關(guān)的領(lǐng)域。
          光耦繼電器還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是沒響聲,不會咔嚓咔嚓響
          繼電器觸點(diǎn)類型有:1常開、1常閉、1開1閉、2常開、2常閉…..
          總之很多很多,按需求選擇。
          其實(shí)光耦繼電器按輸出結(jié)構(gòu)也可以分為MOS(場效應(yīng)管)輸出或SCR(可控硅整流管)輸出。
          MOS輸出的負(fù)載電流比較小(通常幾百mA),而如果是SCR輸出的負(fù)載電流比較大(能達(dá)到幾mA)
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