mos管在電路中的作用
mos管概述
本文主要講mos管在電路中的作用，所以先了解一下MOS管基本知識(shí)。MOS管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N/P溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。
mos管三個(gè)極分別代表什么
1.判斷柵極G
MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間.
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
mos管在電路中的作用
AO3401MOS管在電路中的作用：
AO3401在這個(gè)電路中是起到開關(guān)作用，當(dāng)VBUS端輸入低電平時(shí)，Q101P溝道VMOS管AO3401的2腳柵極也為低電平，于是，1腳D漏極與3腳源極之間導(dǎo)通，將+5V VCC連接到VBUS端。
MOS管通常在電路中都是起開關(guān)作用的嗎？
MOS管在電路中不都是起開關(guān)作用，還有放大、阻抗變換、振蕩等等作用。利用它低導(dǎo)通內(nèi)阻特點(diǎn)作為開關(guān)的比較多。
MOS管也就是常說的場效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道，這里我們就按照P溝道和N溝道分類。對(duì)MOS管分類不了解的可以自己上網(wǎng)查一下。
場效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，這里我們講解的是MOS管作為開關(guān)管的使用。對(duì)于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關(guān)頻率）。下面我們看一下MOS管的引腳，如下圖所示：
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