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        7. 數(shù)字晶體管的工作原理與特征參數(shù)
          • 發(fā)布時間:2020-05-07 17:25:00
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          數(shù)字晶體管的工作原理與特征參數(shù)
          數(shù)字晶體管(Digital Transistor)與普通晶體管差別不大,并沒有采用任何數(shù)字技術(shù),僅僅內(nèi)置了一個或兩個偏壓電阻,即所謂的偏壓型晶體管(Bias Resistor Transistor)。與普通晶體管相比,數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關(guān)系,而且工作狀況穩(wěn)定。
          數(shù)字晶體管的工作原理
          數(shù)字晶體管的工作原理與與普通晶體管一樣,如圖1。在這個電路中,在NPN晶體管的基極(B)-發(fā)射極(E)之間輸入一個正向電壓,注入基極電流。就是說,在基極(B)領(lǐng)域注入+空穴。
          如果在基極(B)領(lǐng)域注入+電子,發(fā)射極(E)的載流子-會被吸引至基極(B),但是正極(B)領(lǐng)域非常薄,因此通過加入集電極電壓,載流子可以穿越基極(B)流向集電極(C)。這樣,電流就由集電極(C)→發(fā)射極(E)流動,數(shù)字晶體管就開始工作了。
          數(shù)字晶體管
          數(shù)字晶體管的工作原理圖
          數(shù)字晶體管具有放大和開關(guān)作用:
          (1)用作放大時,通過注入基極電流IB,在集電極IC就能夠獲得放大了hFE倍的電流。在電路應(yīng)用中,通過輸入信號持續(xù)控制集電極電流,可以得到hFE倍的輸出電流。
          數(shù)字晶體管
          數(shù)字晶體管放大和開關(guān)作用
          (2)在開關(guān)作用中,在ON時電氣性飽和狀態(tài)(降低集電極-發(fā)射極間的飽和電壓)下使用。
          數(shù)字晶體管用語
          表征數(shù)字晶體管的參數(shù)有7個,分別為VI(on)Min、VI(off)Max、VO(on)、II(Max.)、GI、R1、R2/R1。
          數(shù)字晶體管
          不同型號的數(shù)字晶體管示例
          其中,VI(on)Min.是最小輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加正向電壓 (VO),并得到規(guī)定的輸出電流時需要的最小輸入電壓,即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此,如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài),需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值,所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個數(shù)值。
          VI(off)Max.是最大輸入電壓。這表示向OUT引腳、GND引腳間施加電源電壓 (VCC)、輸出電流 (IO) 的狀態(tài)下,IN引腳、GND引腳間得到的最大輸入電壓,即可以保持?jǐn)?shù)字晶體管OFF狀態(tài)區(qū)域的最大輸入電壓值。因此,如果要從OFF狀態(tài)變?yōu)镺N狀態(tài),需要進(jìn)一步升高該最大輸入電壓值,所以正常產(chǎn)品的電壓值高于這個數(shù)值。
          VO(on)是輸出電壓,表示任意輸入條件下不超過絕對最大額定值的輸出引腳電壓。GND接地放大電路流過充足的輸入電流時,輸出電壓降低,IN、OUT接合也變?yōu)檎珘籂顟B(tài)。在規(guī)定的VO、IO下將II設(shè)定為整數(shù)(通常10~20)分之一進(jìn)行測定。
          II(Max.)是輸入電流,表示向IN引腳、GND引腳間施加正向電壓 (VI) 時,IN引腳連續(xù)流過電流的最大輸入容許值。
          GI是GND接地直流電流增益,表示規(guī)定的VO、IO條件下的IO/II的比值。
          R1表示輸入電阻,表示在IN引腳、晶體管基極之間內(nèi)置的電阻。R1的公差設(shè)定為±30%。另外,還會隨著溫度的變化而變化。
          R2/R1是電阻比率(RESISTANCE RATIO),表示晶體管的基極?發(fā)射極之間的電阻與內(nèi)置輸入電阻的比率。
          數(shù)字晶體管的作用是簡化了電路設(shè)計,讓晶體管的工作狀態(tài)更穩(wěn)定。
          采購時除了上述7個參數(shù),還要考慮IP等級、包裝與封裝、尺寸、引腳數(shù)、極性(NPN或PNP)、輸入電阻R1,射極電阻R2、功耗、放大倍數(shù)(GI/hFE)、存儲溫度范圍,以及ROHS要求等。
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