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          深圳市烜芯微科技有限公司

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          二極管、三極管、MOS管、橋堆

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        7. 50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-19 16:24:08
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          50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹
          一、50N06參數(shù)中文
          產(chǎn)品特征:
          RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
          提供無鉛綠色設(shè)備
          低Rds開啟,最大限度地減少導(dǎo)電損
          高雪崩電流
          二、50n06參數(shù)中文
          產(chǎn)品用應(yīng):
          電源
          不間斷電源
          電池管理系統(tǒng)
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          Mosfet參數(shù)含義說明-50n06參數(shù)中文
          Vds:DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時(shí),MOS的DS所能承受的最大電壓
          Rds(on):DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時(shí),MOS的DS之間的電阻
          Id:最大DS電流.會(huì)隨溫度的升高而降低
          Vgs:最大GS電壓.一般為:-20V~+20V
          Idm:最大脈沖DS電流.會(huì)隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力,跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系
          Pd:最大耗散功率
          Tj:最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度
          Tstg:最大存儲(chǔ)溫度
          Iar:雪崩電流
          Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
          Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
          BVdss:DS擊穿電壓
          Idss:飽和DS電流,uA級(jí)的電流
          Igss:GS驅(qū)動(dòng)電流,nA級(jí)的電流.
          gfs:跨導(dǎo)
          Qg:G總充電電量
          Qgs:GS充電電量
          Qgd:GD充電電量
          Td(on):通延遲時(shí)間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)間
          Tr:上升時(shí)間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
          Td(off):關(guān)斷延遲時(shí)間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時(shí)10%的時(shí)間
          Tf:下降時(shí)間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時(shí)間。
          Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd+Cgs.
          Coss:輸出電容,Coss=Cds+Cgd.
          Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc.
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