一、柵極電阻
H橋的mos管柵極電阻
1.減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
2.若不加R39電阻，高壓情況下便會因為mos管開關速率過快而導致周圍元器件被擊穿。但R39電阻過大則會導致MOS管的開關速率變慢，Rds從無窮大到Rds（on）的需要經過一段時間，高壓下Rds會消耗大量的功率，而導致mos管發熱異常。
如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小
MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
柵極電阻阻值過大
MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導致MOS管發燙。過于頻繁地導通會使熱量來不及發散，MOS溫度迅速身高。
二、柵源電阻
1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產生誤動作，甚至擊穿mos管（因為只要有少量的靜電便會使mos管的G-S極間的等效電容產生很高的電壓），起到了保護mos管的作用。
保護柵極G-源極S：場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應管產生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應管的作用。
2.為mos管提供偏置電壓，即不使柵極電壓懸空，導致mos管被誤導通。
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