一、MOSFET的開(kāi)通過(guò)程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過(guò)程，當(dāng)給柵極施加驅(qū)動(dòng)電壓后，MOSFET開(kāi)通過(guò)程會(huì)分為4個(gè)階段，其中Vgs、Ig、Vds、Id之間的關(guān)系如下圖：
t0-t1：Vgs快速上升，Ig逐漸降低。因?yàn)閂gs還沒(méi)上升到MOSFET的開(kāi)通電壓，因此Id一直為0。
t1-t2：Vgs上升到Vgs(th)，MOSFET開(kāi)通，Id開(kāi)始上升，Vds開(kāi)始下降，MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)。
t2-t3：由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿(mǎn)電。Vgs在當(dāng)前階段會(huì)保持不變，形成一個(gè)電壓平臺(tái)，稱(chēng)為米勒平臺(tái)。
t3-t4：米勒電容充滿(mǎn)電，Vgs繼續(xù)上升到外界驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，Vds徹底降下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。
二、米勒平臺(tái)的形成
在MOS開(kāi)通前，D極電壓大于G極電壓，則MOS寄生電容Cgd中就會(huì)儲(chǔ)存著電荷。當(dāng)MOS完全導(dǎo)通后G極電壓又會(huì)大于D極電壓，則Cgd中又會(huì)儲(chǔ)存極性方向相反的電荷。因此在MOS管開(kāi)通的過(guò)程中，會(huì)有一個(gè)時(shí)間段，G極的驅(qū)動(dòng)電荷用于中和Cgd中的電荷，并繼續(xù)灌入電荷使其中電荷的極性反向。這個(gè)時(shí)間段就是米勒平臺(tái)形成的時(shí)間段。
三、米勒效應(yīng)的影響與解決方法
米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS的開(kāi)通損耗。因?yàn)樗娱L(zhǎng)了MOS的開(kāi)通時(shí)間。同時(shí)會(huì)降低MOS的開(kāi)關(guān)速度。
解決方法：
1）、驅(qū)動(dòng)電路在G級(jí)和S級(jí)之間加足夠大的電容可以消除米勒效應(yīng)。但此時(shí)開(kāi)關(guān)時(shí)間會(huì)拖的很長(zhǎng)。一般推薦值加0.1Ciess的電容。
2）、選擇Cgd小的MOS，在MOS的手冊(cè)中：
又根據(jù)公式：Ciss=Cgs+Cgd，Coss=Cds+Cgd，Crss=Cgd
可以得到Cgd。
電話(huà)：18923864027（同微信）
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