晶體管
內部
了解了半導體后，我們開始了解晶體管，也叫三極管。其內部由兩個PN結組成，自然有PNP和NPN兩種，但這不重要。
重要的是，晶體管分為發射極（e），基極（b），集電極（c）
由于我們學習的是晶體管放大電路，需要保證的外部條件是發射結正偏，集電結反偏
以NPN晶體管為例，我們探究其內部電流過程
1.因為發射結正偏，N的載流子（帶負電）從N到P，產生P到N的電流IE
2.由于1，發射結有很多電子。由于集電結反偏，基區形成你濃度差，電子從發射結向集電結擴散。擴散過程中有一部分從基極流走，這部分為基極主要電流IBN，因為帶負電，所以電流方向從外到內
3.由于集電結反偏，電子會被吸引到集電結，形成從N到P的電流ICN
4.由于反偏，集電區的電子基本流走，但空穴還在。集電區的空穴和基區電子在反偏的集電結作用下漂移形成從N到P的電流ICBO。此電流對放大沒有貢獻且不穩定，要盡量減小。
綜上，有以上電流：
5.發射極主要電流/發射極流出電流：IE
6.基極主要電流：IBN
7.集電極主要電流：ICN
8.反向飽和電流：ICBO
9.外部流入集電極電流：IC
10.外部流入基極電流：IB
電流分配
從圖中容易看出，IC=ICBO+ICN，IB=IBN-ICBO
我們把這個晶體管看作整體，忽略其內部電流，易得出：IE=IB+IC
在ICBO很小的前提下，為了確定晶體管的放大性能，我們定義共基極直流放大系數：α=ICN/IE=（IC-ICBO）/IE=IC/IE，即IC流入的電流與IE流出電流的比值
現在我們先不忽略ICBO，則α=（IC-ICBO）/IE，就有IE=（IC-ICBO）/α。為了探究IC和IB的關系，我們代入IE=IC+IB，有IC=αIB/（1-α）+ICBO/（1-α）
在此引入共發射極直流放大系數β=α/（1-α），則IC=βIB+（1+β）ICBO。
當基極開路，則IB=0，此時集電結流入電流全從發射極流出，我們引入穿透電流：ICEO=IC=（1+β）ICBO
在ICEO遠小于IC的前提下則有：IC=βIB+ICEO=βIB，得出β=IC/IB，即IC流入的電流與IB流入的電流的比值
注意：當α與β的比值是電流變化量的比值的時候，表示的是動態（交流工作狀態）時的電流放大特性
特性曲線
輸入特性：UCE不變，輸入回路的ib與uBE間的關系
輸出特性：IB不變，輸出回路的ic與uCE間的關系
輸出特性曲線可分為三個區域：
1.放大區：發射結正偏，集電結反偏，即正常狀態。此時iC=βIB，與uCE無關；ic只受IB控制
2.飽和區：發射結和集電結均正偏。iC隨uCE增大而增大，無放大作用
3.截止區：發射結點壓過小，集電結反偏。IB=0，iC近似為0。
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