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        7. MOS管開關(guān)電路實例介紹
          • 發(fā)布時間:2023-06-16 21:33:09
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          MOS管開關(guān)電路實例介紹
          MOS管開關(guān)電路實例1
          在下圖所示的電路中,增強型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡單的燈“ON”和“OFF”(也可以是 LED)。
          柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件,因此燈負(fù)載要么“打開”,(V GS = +ve),要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平,(V GS = 0V)。
          如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載(如線圈、螺線管或繼電器)代替,則需要與負(fù)載并聯(lián)一個“續(xù)流二極管”,以保護(hù)mos管免受任何自生反電動勢的影響。
          MOS管 開關(guān)電路
          上面顯示了一個非常簡單的電路,用于切換電阻負(fù)載,例如燈或 LED。但是,當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時,需要某種形式的保護(hù)來防止mos管器件受損。驅(qū)動感性負(fù)載與驅(qū)動容性負(fù)載的效果相反。
          例如,沒有電荷的電容是短路的,導(dǎo)致高“涌入”電流,當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時,隨著磁場崩潰,我們會產(chǎn)生很大的反向電壓,從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動勢。
          P溝道m(xù)os管開關(guān)電路實例
          在上圖我們將 N 溝道 mos管視為開關(guān),mos管放置在負(fù)載和地之間。這也允許 mos管的柵極驅(qū)動或開關(guān)信號以地為參考(低側(cè)開關(guān))。但在某些應(yīng)用中,如果負(fù)載直接接地,我們需要使用 P 溝道增強型 mos管。如下圖所示。
          MOS管 開關(guān)電路
          P溝道m(xù)os管開關(guān)電路
          在這種情況下,mos管開關(guān)連接在負(fù)載和正 電源 軌(高端開關(guān))之間,就像我們使用 PNP 晶體管一樣。
          在 P 溝道器件中,漏極電流的常規(guī)流動方向為負(fù)方向,因此施加負(fù)柵源電壓以將晶體管“導(dǎo)通”。
          這是因為 P 溝道m(xù)os管是“倒置”的,其源極端子連接到正電源+V DD。然后,當(dāng)開關(guān)變?yōu)榈碗娖綍r,mos管變?yōu)?ldquo;ON”,當(dāng)開關(guān)變?yōu)楦唠娖綍r,mos管變?yōu)?ldquo;OFF”。
          P 溝道增強型mos管開關(guān)的這種倒置連接允許我們將其與 N 溝道增強型 mos管串聯(lián)連接,以產(chǎn)生互補或 CMOS 開關(guān)器件,如上圖所示為跨雙電源。
          MOS管開關(guān)電路實例2
          MOS管 開關(guān)電路
          這是一個簡單的電路,其中 N 溝道增強模式mos管將打開或關(guān)閉燈。為了將mos管用作開關(guān),它必須工作在截止和線性(或三極管)區(qū)域。
          假設(shè)設(shè)備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓,即 V GS適當(dāng)?shù)卦O(shè)為正值(從技術(shù)上講,V GS > V TH),MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)域并且開關(guān)導(dǎo)通。這使燈打開。
          如果輸入柵極電壓為 0V(或技術(shù)上 < V TH),則mos管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉。這反過來會使燈關(guān)閉。
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