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        7. MOS管的概念,結(jié)構(gòu)與原理介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-22 18:34:42
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          MOS管的概念,結(jié)構(gòu)與原理介紹
          1、什么是MOS管
          MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 MOS可以分為兩種:耗盡型和增強(qiáng)型。
          1)耗盡型: Vgs電壓為0的時(shí)候,導(dǎo)電溝道已經(jīng)存在,在漏極和源極之間有電壓就會(huì)有電流流過,當(dāng)增加Vgs時(shí)導(dǎo)通能力增強(qiáng),當(dāng)Vgs小于0時(shí)導(dǎo)電能力減弱,繼續(xù)減小逐漸截止,這種MOS管目前用的不是很多。
          2)增強(qiáng)型: Vgs=0時(shí),MOS管截止,Vgs逐漸增大,達(dá)到一定值后MOS管開始導(dǎo)通,繼續(xù)增大導(dǎo)通能力增強(qiáng)。 目前市面上基本都是使用這種增強(qiáng)型MOS管。
          下面以增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)管為例,介紹場效應(yīng)管原理。
          2、MOS管結(jié)構(gòu)
          如下所示,在P型半導(dǎo)體中嵌入兩個(gè)N型半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體使用引線引出,這兩個(gè)就是源極和漏極,和襯底相連的是源極,另外一個(gè)是漏極。 然后覆蓋一層二氧化硅絕緣層,絕緣層上覆蓋金屬板,金屬板使用引線引出,這就是柵極。 柵極被絕緣層隔離,因此MOS管的柵極電流很小,輸入阻抗很大。
          P型半導(dǎo)體富含空穴,N型半導(dǎo)體富含電子,兩種半導(dǎo)體在接觸面上形成空間電荷區(qū)(耗盡區(qū)),如下圖棕色區(qū)域。
          從下圖可以看出,襯底和源極相連后,源極和漏極之間形成一個(gè)PN結(jié),這就是MOS內(nèi)部的體二極管。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          3、MOS管溝道形成
          當(dāng)我們給柵極和源極之間施加電壓時(shí),因?yàn)樵礃O和襯底相連,所以柵極和襯底之間電壓就是Vgs,因此在絕緣層上下形成電場,柵極吸引襯底(P型半導(dǎo)體)內(nèi)部的電子向上移動(dòng),聚集在絕緣層的下方,形成導(dǎo)電溝道,當(dāng)增大Vgs電壓時(shí),電場強(qiáng)度增強(qiáng),聚集在絕緣層下方的電子增多,導(dǎo)電溝道加深,導(dǎo)電能力增強(qiáng)。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          4、漏源電流形成
          源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道之后,在漏極和源極之間施加電壓Vds,溝道中的電子開始流動(dòng)形成電流。 當(dāng)我們維持Vgs不變,逐漸增加漏極電壓,也就是Vds,漏極電流逐漸增大,呈線性關(guān)系。
          注意看下圖中的溝道左深右淺,這是由于漏極電壓的緣故削弱了柵極電場,可以這么理解,本來電子被柵極吸引建立柵極電場,但是溝道右側(cè)部分電子被漏極正電壓吸走,削弱了柵極右側(cè)電場,右側(cè)溝道變淺。 隨著漏極電壓升高,漏極的空間電荷區(qū)變大,進(jìn)步一衰減了柵極電場,右側(cè)溝道溝道進(jìn)一步變淺。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          以下是2N7002P的特性曲線,以Vgs=3.5V為例,此時(shí)MOS管處于紅色區(qū)間內(nèi),漏極電流隨Vds增大而增大。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          5、預(yù)夾斷
          柵極電壓不變,繼續(xù)增大漏極電壓,空間電荷區(qū)進(jìn)一步增大,漏極電壓不斷地削弱右側(cè)溝道,當(dāng)右側(cè)溝道剛好“消失”時(shí),出現(xiàn)預(yù)夾斷,如下圖中黑色夾斷點(diǎn)。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          以下是2N7002P的特性曲線,以Vgs=3.5V為例,此時(shí)MOS管處于紅色區(qū)間內(nèi),漏極電流出現(xiàn)拐點(diǎn),MOS即將走向飽和。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          6、夾斷
          柵極電壓不變,繼續(xù)增加漏極電壓,夾斷點(diǎn)繼續(xù)左移,空間電荷區(qū)進(jìn)一步增大,此時(shí)漏極電流不再隨漏極電壓升高而升高,MOS飽和了。
          注意,出現(xiàn)夾斷并不是沒有電流了,電子也能夠越過夾斷點(diǎn)進(jìn)入空間電荷區(qū),被空間電荷區(qū)的電場加速,最后被漏極吸收。
          MOS管的概念 結(jié)構(gòu) 原理
          以下是2N7002P的特性曲線,以Vgs=3.5V為例,此時(shí)MOS管處于紅色區(qū)間內(nèi),漏極電流不再隨Vds增大而增大,MOS管飽和了。
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