一、米勒電容
MOS管的等效電容如圖所示：
在器件的手冊(cè)中，會(huì)給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進(jìn)去的電容，MOS管導(dǎo)通時(shí)的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)；
輸出電容Coss就是從輸出回路，即端口D和S看進(jìn)去的電容，MOS管關(guān)斷時(shí)DS電容，是Cgd和Cgs的串聯(lián)；
反向傳輸電容Crss就是Cgd，也叫米勒電容； 構(gòu)成了輸出回路對(duì)輸入回路的反饋。
考察MOS管的充電過程（以下給出簡(jiǎn)要分析，更詳細(xì)具體的分析可以參考最后的鏈接），當(dāng)Vgs從0開始上升時(shí)（小于Vth階段，t0-t1），從G端過來的正電荷同時(shí)流向了Cgs和Cgd； 流向Cgs的電荷給電容充電，使得G點(diǎn)電位上升；
流向Cgd的正電荷中和了一部分Cgd下極板的負(fù)電荷，下極板的凈負(fù)電荷減少； 上極板的電位在這個(gè)階段始終等于VDD，因此Cgd兩端的電壓下降，同樣也抬高了G點(diǎn)的電位； 通常Cgs的電容值大于Cgd，所以Cgd這一路的電流相對(duì)很小；
因此，此時(shí)晶體管未開通，iD等于0，Vgs由于G點(diǎn)電位上升而上升，Vds可以認(rèn)為保持不變；
當(dāng)Vg大于Vth時(shí)（t1-t2），此時(shí)晶體管處于飽和區(qū)； 隨著Vgs的增加，iD逐漸增加，Vds略有下降，這個(gè)階段MOS管一直處于飽和狀態(tài)；
從t2時(shí)刻開始，電流iD達(dá)到最大值，此時(shí)MOS管仍然處于飽和區(qū)，iD = gmVgs，iD不變時(shí)gm也為常數(shù)，因此Vgs保持不變；
Vgs不變說明Igs為0，所以此時(shí)Ig = Igd，柵極電壓全部給Cgd充電，形成所謂的米勒平臺(tái)；
從t3時(shí)刻開始，MOS管進(jìn)入線性區(qū)，此時(shí)柵極電壓同時(shí)給Cgs和Cgd充電，Vgs開始繼續(xù)上升，溝道也逐漸變寬；
在這個(gè)過程中，t1-t3時(shí)間段內(nèi)是消耗功耗的，因此，米勒電容的大小對(duì)于MOS管的開關(guān)速度和功耗都是有影響的。
二、CCS電流源模型
在時(shí)序建模時(shí)，只考慮標(biāo)準(zhǔn)單元的輸入輸出引腳，輸入引腳對(duì)外部是receiver，輸出引腳對(duì)外部是driver； 然后對(duì)receiver和driver分別建模，以獲取標(biāo)準(zhǔn)單元的時(shí)序特性；
在NLDM模型中，driver model是一個(gè)有固定電阻的電壓源模型，receiver model是一個(gè)單一電容模型。 通過input transition以及output load查表得到一個(gè)delay值；
而對(duì)于CCS復(fù)合電流源模型的driver model，由input transition以及output load得到的不再是一個(gè)具體的delay值，而是一組隨時(shí)間變化的電流值，工具根據(jù)輸出電流計(jì)算單元的延遲和功耗；
receiver model是兩段電容模型， 考慮了米勒電容的影響 。 比如輸入引腳的高低slew閾值是30%和70%，那么(30%,50%)這段時(shí)間的cap值為C1，(50%,70%)這段時(shí)間的cap值為C2，靜態(tài)時(shí)序分析工具會(huì)動(dòng)態(tài)選擇電容值。
下面兩張圖是CCS在lib庫(kù)中的描述：
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